岗位职责及要求：

一、基础学历与经验

1. 学历：本科及以上，材料、微电子、半导体、物理、化学相关专业

2. 工作年限：5年及以上OLED/LCD阵列干法刻蚀量产工艺经验；有柔性OLED（LTPO）经验优先

3. 项目经历：至少完整参与1款产品试产并完成量产、爬坡，熟悉Array金属层（Mo、Ti/Al/Ti）；熟悉PECVD/溅射配套联动更佳

二、核心专业能力

1. 干刻工艺原理与参数理解

- 熟悉电容耦合CCP、电感耦合ICP刻蚀机台原理；气体体系：Cl基、F基、BCl₃等，各气体作用、等离子体反应机理

- 精通关键工艺指标：刻蚀速率、选择比、Taper角度、CD均一性（长程/短程）、残留、侧蚀、底切、micro-trench；

- 熟悉不同膜层刻蚀特点：干法金属刻蚀、CNT刻蚀、ITO阳极刻蚀，各膜层对应的典型不良

2. 良率&异常处理（资深岗核心）

- 独立处理量产干刻相关良率问题：CD偏移、片内/片间短程均一性差、残留、under cut、充电损伤、刻蚀stop、金属腐蚀、断点、短路等

- 能区分工艺参数、腔室状态、电极/陶瓷件耗材、气体管路、前道（黄光/成膜）相关不良，快速定位根因，不是只调参数

- 掌握FMEA、8D、鱼骨图，独立写异常报告、改善对策、永久预防措施

3. 实验开发与DOE能力

- 独立设计DOE，识别关键因子（RF功率、压力、气体流量、He背冷、温度、时间），评估工艺窗口，验证稳健性

- 新工艺/新材料recipe开发：新产品导入，评估选择比、形貌、电性良率，完成工艺转移；

4. 设备&计量联动

- 理解刻蚀腔内部件、等离子体状态，可与设备工程师协同做chamber调试、腔室清洁、故障分析

- 熟悉量测工具：CD-SEM、光学轮廓仪、膜厚仪、AFM；看懂SEM截面形貌，识别taper、polymer、底切等形貌缺陷

- 了解和上下游工序关系：黄光（光刻胶、HB、CD）、溅射金属、剥离工艺之间的相互影响，很多干刻不良根源在前道

三、工作职责

1. 跨部门协同：黄光、薄膜、设备、品质、失效分析FA，推动改善落地

2. 文档标准化：SOP更新、工艺spec制定、风险评估、技术沉淀，带初级工程师，内部技术培训

3. 成本管控：优化耗材寿命、降低气体消耗，减少rework，提升UPH；管控chamber downtime

4. 安全与ESD：熟悉特种气体、等离子体安全、ESD管控，腔室维护安全规范